[发明专利]半导体装置及布局设计方法在审
| 申请号： | 202010886321.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447706A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金贞林;卢明秀;郑鲁永;郑硕允;金皊翰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L27/11;G06F30/392 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置及布局设计方法，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，第一单位单元包括沿第一方向延伸的第一鳍图案、沿第二方向延伸的第一栅极图案以及设置在第一栅极图案的一侧上且接触第一鳍图案的第一接触件，第二单位单元包括沿第一方向延伸的第二鳍图案、沿第二方向延伸的第二栅极图案以及设置在第二栅极图案的一侧上且接触第二鳍图案的第二接触件，其中，第一栅极图案和第二栅极图案间隔开并且位于沿第二方向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件间隔开并且位于沿第二方向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 布局 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
