[发明专利]一种高强高导电石墨烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010888420.3 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112174120B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 程群峰;万思杰 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高强高导电石墨烯薄膜的制备方法，将氧化石墨烯(GO)溶液经真空抽滤制得自支撑GO薄膜；在正交双轴外力牵引下，将该GO薄膜浸泡在10,12‑二十五碳二炔‑1‑醇(PCO)溶液中进行化学交联，再紫外光照得到共价交联的取向的氧化石墨烯(GO‑PCO)薄膜；继续在正交双轴外力牵引下，将GO‑PCO薄膜浸泡在氢碘酸和乙醇的混合溶液中进行化学还原，得到共价交联的取向的石墨烯(G‑PCO)薄膜；继续在正交双轴外力牵引下，将G‑PCO薄膜依次浸泡在1‑芘丁酸N‑羟基琥珀酰亚胺酯和1‑氨基芘溶液中，制得高强高导电石墨烯(SB‑BS‑rGO)薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高强 导电 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010888420.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
