[发明专利]具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010888774.8 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112164719B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 章文通;祖健;朱旭晗;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有等势浮空槽的低阻器件，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，源极金属，漏极金属，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中；在相同长度下，介质层能够承受更高的击穿电压，同时浮空电极能够调制漂移区电势分布，使得电势分布均匀，进一步提高了器件耐压，浮空场板辅助耗尽还可以提高漂移区注入剂量，从而降低比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 势浮空槽 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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