[发明专利]一种高压氢钝化提升晶硅电池效率的方法在审
| 申请号： | 202010890932.3 | 申请日： | 2020-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112086539A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 戴希远;陆明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光伏技术领域，具体为一种高压氢钝化提升晶硅电池效率的方法。本发明将晶硅PN结经过高压氢气钝化处理，来减弱PN结中悬挂键等缺陷的电学活性，增加少数载流子的寿命。采用本发明方法处理的PN结制备的晶硅太阳电池，其外量子效率在300nm‑1100nm的范围均得到提升，光电转化效率可相对提升10%以上。这种新型的氢钝化工艺能够减少载流子复合的电流损失，低成本地实现晶硅电池的效率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 钝化 提升 电池 效率 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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