[发明专利]接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法有效
申请号: | 202010891829.0 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111929981B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 胡青;何大权;张辰明;魏芳;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法,包括:提供OPC图形,所述OPC图形上具有接触孔区域;在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形;步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法,通过移动亚分辨率辅助图形,以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用,进一步的调节接触孔区域的光强分布,强化边角轮廓和増加曝光焦深,使得接触孔的边缘误差得到改善,如此,改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。 | ||
搜索关键词: | 接触 光刻 工艺 热点 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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