[发明专利]一种微米级二元掺杂富锂材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010892041.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112062167B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨刚;刘聪;郭召鑫 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/485;C01G53/00;H01M4/525;H01M10/052 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王艳 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微米级二元掺杂富锂材料及其制备方法和应用，所述微米级二元掺杂富锂材料是选用碱金属元素K和过渡金属元素分别掺入富锂正极材料的锂层和TM层后得到。本发明两次异质元素掺杂，实现异质过渡金属元素准确掺入目标产物的过渡金属元素层（TM层）、异质碱金属元素掺入富锂材料的锂层。两类异质掺杂元素可以有效发挥各自的优点，提升目标材料的比容量、首次库伦效率、倍率性能和循环性能；微米级单晶体型富锂材料具有更高的结构稳定性和能量密度。本发明制备方法简单可行，能够大幅度提高富锂材料的综合电化学性能，是潜在商用高能量密度锂电池正极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 二元 掺杂 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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