[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 202010896304.6 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111916492B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄建龙 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L29/49;H01L21/34;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在TFT器件膜层厚度上第一子栅极位于有源层与源极及漏极之间，第二子栅极与源极及漏极同层、同一道光罩制备而成，可节约一道光罩，第二子栅极不受像素单元开口的影响，第二子栅极包括间隔设置的两个栅极金属图案，两个栅极金属图案均与同一条扫描线电性连接，同时对第一子栅极充电，提升栅极的充电率，另外第一子栅极优选为金属钼，第二子栅极优选为金属铝或铝合金，金属铝的阻抗比金属钼的低，降低栅极的阻抗，进一步提高栅极充电率，满足高清晰度显示面板的分辨率、刷新率、大尺寸的需求。 | ||
| 搜索关键词： | tft 器件 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
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