[发明专利]半导体器件、封装件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010896773.8 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112447646A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 陈明发;叶松峯;陈宪伟;陈洁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 封装件包括第一管芯,该第一管芯包括第一金属化层,位于第一金属化层上的一个或多个第一接合焊盘通孔,其中,第一阻挡层在每个第一接合焊盘通孔和第一金属化层之间延伸横跨第一金属化层,位于,以及位于一个或多个第一接合焊盘通孔上的一个或多个第一接合焊盘,其中,第二阻挡层在第一接合焊盘和第一接合焊盘通孔之间延伸横跨每个第一接合焊盘通孔,以及包括一个或多个第二接合焊盘的第二管芯,其中,第二接合焊盘接合至第一管芯的第一接合焊盘。本申请的实施例涉及半导体器件和形成封装件的方法。
搜索关键词: 半导体器件 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
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