[发明专利]III-V器件与IV族器件的共同集成

摘要

在第一方面，本发明涉及一种方法，该方法包括：(a)提供SixGe1‑x(100)基材(10)，其中x为0‑1；(b)选择用于在其中形成IV族器件(50)的第一区域(21)和用于在其中形成III‑V器件(80)的第二区域(22)，第一区域和第二区域(22)各自包括SixGe1‑x(100)基材(10)的一部分；(c)至少为III‑V器件(80)形成沟槽隔离(30)；(d)在第一区域(21)中提供SiyGe1‑y(100)表面(15)，其中y为0到1；(e)在第一区域(21)中的SiyGe1‑y(100)表面(15)上至少部分地形成IV族器件(50)；(f)在第二区域(22)中形成暴露SixGe1‑x(100)基材(10)的沟槽(60)，相对于第一区域(21)中的SiyGe1‑y(100)表面(15)，沟槽(60)具有至少200nm，优选至少500nm，更优选至少1μm，最优选至少2μm的深度，例如4μm；(g)使用纵横比捕获在沟槽(60)中生长III‑V材料(71,72)；以及(h)在III‑V材料(71,72)上形成III‑V器件(80)，III‑V器件(80)包括至少一个接触区域(83)，该接触区域(83)的高度与IV族器件(50)的接触区域(53)的高度的差异在100nm以内，优选50nm以内，更优选20nm以内，最优选10nm以内。