[发明专利]MIM电容的制作方法有效
| 申请号： | 202010897047.8 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112053932B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜;姚道州;肖培;戴鸿冉 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MIM电容的制作方法，包括：通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；刻蚀至目标区域的电介质层的目标深度，去除目标区域的第二电极层；对刻蚀过程中产生的反应副产物进行第一次清除处理，第一次清除处理的反应气体包括氯气；对反应副产物进行第二次清除处理，第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气；去除光阻。本申请通过两次清除处理去除刻蚀过程中的反应副产物，第一次清除处理的反应气体包括氯气以清除反应副产物中的金属氯化物，第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气以去除氯碳化合物，从而能够较为彻底地清除反应副产物。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
