[发明专利]一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液在审
| 申请号： | 202010898060.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111876780A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 詹洪;邹玲;张诗杨;郭文勇;罗晓锋;陆飚 | 申请（专利权）人： | 武汉迪赛新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人： | 余晓雪 |
| 地址： | 436070 湖北省鄂州*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于金属材料的化学法蚀刻技术领域，具体公开了一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液。该蚀刻液由以下重量百分含量的原料组成：5%~30%的过硫酸铵、0.01%~1%稳定剂、0.1%~10%调节剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B和余量的超纯水。本发明的蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液蚀刻特性好，蚀刻斜面直线度好，无钼残、无底切，具有非常大的工业价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 tft 铜钼合层 硫酸铵 体系 | ||
【主权项】：
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