[发明专利]一种ReS2

摘要

本发明公开了一种ReS2‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，包括步骤一，取HfCl4粉末置于温区二中心上游方向，取硫粉置于温区二中心上游方向，取基底置于温区一中心处；步骤二，对第一燃烧管密封并通过第一出气口进行真空处理后，通过第一进气口向第一燃烧管内通入惰性气体和氢气后，对第一燃烧管的各温区进行加热，制备得到HfS2薄膜；步骤三，取ReO3粉末置于温区三中心处，取硫粉置于温区四中心上游方向，将步骤二制得的HfS2薄膜作为新基底置于温区三ReO3粉末左右两侧；步骤四，对第二燃烧管密封并通过第二出气口进行真空处理后，通过第二进气口向第二燃烧管内通入惰性气体和氢气后，对第二燃烧管的各温区进行加热，得到ReS2‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜。