[发明专利]CCD图像传感器的输出节点结构及其制作工艺在审
申请号: | 202010900406.0 | 申请日: | 2020-09-01 |
公开(公告)号: | CN111987117A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 李立;雷仁方 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 何君苹 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种CCD图像传感器的输出节点结构,包括衬底,所述衬底上设有栅介质层,所述衬底上部设有输出节点注入区,在所述栅介质层上开设有接触孔,在所述栅介质层上还设有多晶硅电极,所述多晶硅电极的下端伸入接触孔中并与输出节点注入区电连接,所述多晶硅电极的上端覆盖有氧化层。本发明中,输出节点注入区和多晶硅电极直接相连,取消了金属铝结构,减少了输出节点电容的组成成分;还可以减小接触孔的尺寸,从而能够相应减少输出节点注入区、多晶硅电极和衬底的面积,进而减小输出节点注入区对衬底的电容和多晶硅电极对衬底的电容,并进一步减小输出节点的电容,提高CCD图像传感器的电荷转换因子。 | ||
搜索关键词: | ccd 图像传感器 输出 节点 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010900406.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的