[发明专利]低温非易失性存储器在审

专利信息
申请号: 202010901106.4 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112151674A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 郝镇齐;高滨;吴华强;唐建石;钱鹤 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种低温非易失性存储器,该存储器包括上电极、阻变层和下电极,其中,阻变层为双层结构,阻变层的上层为导电绝热材料,与上电极连接,阻变层的下层为阻变材料,与下电极连接,当进行写入SET和重置RESET时,外电场电流产生的焦耳热将阻变层中的局部温度升高,导电绝热材料将部分热量保存在阻变层内,使阻变层保持阻变特征。该存储器利用阻变效应,针对低温应用场景进行器件结构与材料性质上的优化,实现了低温下的非易失性存储。
搜索关键词: 低温 非易失性存储器
【主权项】:
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