[发明专利]低温非易失性存储器在审
申请号: | 202010901106.4 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN112151674A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 郝镇齐;高滨;吴华强;唐建石;钱鹤 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种低温非易失性存储器,该存储器包括上电极、阻变层和下电极,其中,阻变层为双层结构,阻变层的上层为导电绝热材料,与上电极连接,阻变层的下层为阻变材料,与下电极连接,当进行写入SET和重置RESET时,外电场电流产生的焦耳热将阻变层中的局部温度升高,导电绝热材料将部分热量保存在阻变层内,使阻变层保持阻变特征。该存储器利用阻变效应,针对低温应用场景进行器件结构与材料性质上的优化,实现了低温下的非易失性存储。 | ||
搜索关键词: | 低温 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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