[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件在审
| 申请号： | 202010902507.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111987156A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王文宾 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件，属于半导体器件技术领域。氮化镓基晶体管器件外延结构，包括：衬底及依序形成于衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结，第二层异质结形成有凹槽，第二层异质结背离刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层，且P型氮化物层填充凹槽。本发明，一方面，能够通过形成的第一层异质结和第二层异质结，使两个异质结的二维电子气沟道之间可产生强耦合，从而降低该功率器件的导通电阻；另一方面，增加非凹槽处外延层厚度，降低表面态对沟道二维电子气的影响，同时阻止P型氮化物层填充凹槽过程中受主杂质如镁扩散至二维电子气沟道，提升器件动态稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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