[发明专利]一种金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010902585.1 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN112076772A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 王玮;康琪;刘天宇;汪敏;柏寄荣;邓瑶瑶;许鹏;孙潇楠;张金涛 申请(专利权)人: 常州工学院
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J37/34;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 王巍巍
地址: 213032 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法。制备方法包括:(1)采用手动研磨法将大尺寸半导体型MoS2块体研磨得到半导体型MoS2粉末;(2)对半导体型MoS2粉末进行锂插层处理;(3)将锂插层处理后的半导体型MoS2粉末分散在溶剂中,并进行超声处理,离心分离,得到金属型MoS2量子点溶液;(4)将TiN纳米管阵列置于金属型MoS2量子点溶液中,然后依次进行超声处理、浸泡、干燥,得金属型MoS2量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料。本发明的金属型MoS2量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料具有优异的电催化性能和稳定性。
搜索关键词: 一种 金属 二硫化钼 量子 修饰 tin 纳米 阵列 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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