[发明专利]半导体腔室及半导体设备在审
| 申请号： | 202010906130.7 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN112133669A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 平林军;周志文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体腔室及半导体设备，所述的半导体腔室包括壳体(100)、设置在所述壳体(100)中的预热组件(200)和基座(300)，所述基座(300)用于承载待加工件(700)且可升降，所述预热组件(200)环绕所述基座(300)设置，用于对所述半导体腔室进行预热；其中，所述预热组件(200)开设有通气孔(212)，当所述基座(300)处于工艺位置时，所述通气孔(212)朝向所述基座(300)的开口低于所述基座(300)的承载面，所述通气孔(212)用于使刻蚀气体输入所述承载面的下方以及沿所述预热组件(200)与所述基座(300)之间的间隙输入所述承载面的上方。上述实施例能够解决基座承载面的中心区域被过度刻蚀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 半导体设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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