[发明专利]一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺

摘要

本发明公开了一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，包括以下步骤：S1：将等离子体喷涂装置的两个夹持板相背移动；S2：将圆形半导体晶片放在所述等离子体喷涂装置的两个安装槽内；S3：启动所述等离子体喷涂装置的驱动电机，驱动电机转动带动转动轴转动，实现第一转动杆和第一锥齿轮转动，第一转动杆转动带动第二转动杆转动，实现连接板和两个安装板往复移动，进而实现圆形半导体晶片往复移动；S4：待驱动电机稳定工作时，启动所述等离子体喷涂装置的两个等离子发射器，通过等离子发射器可以对圆形半导体晶片的表面进行等离子喷涂。本发明可以对圆形半导体晶片进行有效均匀且高效的等离子喷涂。