[发明专利]一种矩阵式射线成像板制备方法有效
申请号: | 202010907766.3 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112164702B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 郭素文;郑岩;张瑞君;全丽华;蔡震涛;陈磊 | 申请(专利权)人: | 上海洞舟实业有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201619 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明一种矩阵式射线成像板制备方法;其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层;其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒,然后将造粒后的混合物置于模具内,在模具底部加入反光薄膜,利用热压方式将材料热压制备成板材,然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层,同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板,将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。 | ||
搜索关键词: | 一种 矩阵 射线 成像 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的