[发明专利]蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010908291.X | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112442372A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金喆禹;李光国;郭宰熏;金荣汎;辛姃河;李宗昊;赵珍耿 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社;爱思开新材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 刘成春;孙永梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1] |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 半导体器件 绝缘 方法 以及 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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