[发明专利]反射性光罩及其制造方法在审
| 申请号： | 202010908400.8 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112445062A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈庆煌;孙啟元;林华泰;李信昌;陈明威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种反射性光罩及其制造方法，反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层，及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光，且光催化层包括选自由氧化钛(TiO |
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| 搜索关键词： | 反射 性光罩 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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