[发明专利]垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法

摘要

本申请案涉及一种垂直晶体管阵列，以及一种用于形成垂直晶体管阵列的方法。一种垂直晶体管阵列包括隔开的导柱，其个别地包括个别垂直晶体管的沟道区。水平拉长的导体线将多个所述垂直晶体管的所述导柱的所述沟道区中的个别沟道区直接电耦合在一起。上部源极/漏极区在所述导柱的所述个别沟道区上方，下部源极/漏极区在所述导柱的所述个别沟道区下方，且导电栅极线以操作方式在所述导柱的所述个别沟道区旁边，且互连多个所述垂直晶体管。公开了方法。