[发明专利]基于p型掺杂的六方氮化硼外延薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202010909268.2 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN111986987A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 周小伟;岳文凯;李培咸;吴金星;王燕丽;许晟瑞;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L31/101;H01L33/32 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于p型掺杂的六方氮化硼薄膜制备方法，主要解决现有技术制备六方氮化硼薄膜掺杂浓度不可控，及质量低下的问题。其方案是：对衬底进行清洗及退火的预处理，并放入反应室；将CVD中氨硼烷前驱体加热至130‑150℃分解，通过氩气氢气引入反应腔，升高温度至1200‑1550℃，在衬底上外延六方氮化硼薄膜；将每2片六方氮化硼薄膜的正面相对贴合后，在900‑1800℃高温下退火，并急速冷却后剥离；对每片六方氮化硼薄膜进行热靶Mg离子注入，并重新正面相对贴合进行退火后，再上下剥离，完成整个制备过程。本发明绿色环保无毒，掺杂浓度可控，薄膜质量高，可用于深紫外发光二极管，日盲区深紫外探测器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 氮化 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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