[发明专利]具有位在接合垫侧壁上的间隙子的半导体元件及制备方法在审
申请号: | 202010909865.5 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112687645A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 黄则尧 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种具有位在接合垫侧壁上的间隙子的半导体元件及制备方法。该半导体元件具有一接合垫以及一第一间隙子,该接合垫设置在一半导体基底上,该第一间隙子设置在该接合垫的一侧壁上。该半导体元件亦包括一第一钝化层以及一导电凸块,该第一钝化层覆盖该接合垫与该第一间隙子设置,该导电凸块设置在该第一钝化层上。该导电凸块经由该接合垫而电性连接到位在该半导体基底中的一源极/漏极区。 | ||
搜索关键词: | 具有 接合 侧壁 间隙 半导体 元件 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010909865.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。