[发明专利]一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法有效
| 申请号： | 202010910046.2 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112186071B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 邢伟荣;温涛;刘铭;李海燕 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，包括：将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成器件表面漏电流处理。本发明实施例通过刻蚀与腐蚀相结合的方法，减小了像元制备时造成的损伤，通过涂覆预设电介质层能够抑制单元材料氧化并保护像元表面，由此降低了探测器暗电流，提高了探测器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 表面 漏电 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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