[发明专利]一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路有效
| 申请号： | 202010910710.3 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112071344B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 蔺智挺;曹旭龙;占红兰;陈中伟;钮建超;吴秀龙;赵强;彭春雨;卢文娟;黎轩;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高内存内计算线性度和一致性的电路，包括具有双字线的6T SRAM存储阵列、字线控制模块、模式选择模块、时序控制模块、预充模块、电流镜模块、开关模块和缓冲器模块，6T SRAM存储阵列分别与所述预充模块、字线控制模块、缓冲器模块相连接；时序控制模块分别与所述预充模块、开关模块、电流镜模块相连接；电流镜模块与所述缓冲器模块相连接；利用电流镜模块将位线BL上的电压进行钳位，阻止位线BL上的电压降低并镜像单元的读取电流，最后转换为电压再通过所述缓冲器模块输出作为最终的计算结果。上述电路能够实现高线性度和高一致性的内存内计算，从而极大提高了内存内计算的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 内存 计算 线性 一致性 电路 | ||
【主权项】：
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