[发明专利]一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法在审
| 申请号： | 202010912633.5 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112002672A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 杨林;杨尚霖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法，其自下往上包括：第一衬底，其为绝缘体上硅晶圆的最下层，材料组分为硅或二氧化硅；第一埋氧层，其为绝缘体上硅晶圆的第二层，材料组分为二氧化硅；第二埋氧层，其为绝缘体上硅晶圆的第三层，材料组分为二氧化硅；第二衬底，其为绝缘体上硅晶圆的最上层，材料组分为硅。该新型绝缘体上硅晶元可作为硅基光子器件和PLC光波导器件的集成材料，兼具高折射率、高光场限制的特性，使得硅基光子器件和PLC光波导器件能够进行单片集成，并且提高芯片和光纤的耦合效率。所述新型绝缘体上硅晶圆避免了硅基光子器件和PLC光波导器件分立使用时体积大、集成度低、耦合效率低、使用不方便的弊端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 绝缘体 上硅晶圆 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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