[发明专利]一种新型调制MOS集成RG的方法在审
| 申请号： | 202010913629.0 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112131818A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 高洪波;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 天津市弘知远洋知识产权代理有限公司 12238 | 代理人： | 刘英烈 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：根据实际情况设计RG结构；版图设计定型；根据版图计算方块电阻的大小；根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；实施poly implant（多晶注入）的操作；最终形成RG电阻,本发明通过多晶注入掺杂的搭配，可以实现不同RG的组合，实现不同RG的集成数值，具有操作简单，节约改版成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 调制 mos 集成 rg 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州达晶半导体有限公司，未经苏州达晶半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010913629.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种突发事件现场处置的方法
- 下一篇：一种高压清洗机
