[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010913769.8 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112201735B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘小亮;朱秀山;黄敏;郑高林;何安和;彭康伟;林素慧 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 半导体发光二极管及其制备方法。所述半导体发光二极管包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层；还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上。所述半导体发光二极管内部的反射层不易发生剥离问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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