[发明专利]封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010914208.X | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113451148A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 余正富;史凯日;柳怡蓉 | 申请（专利权）人： | 美商矽成积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;B23K26/38 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种封装结构的形成方法，包含一蚀刻步骤、一激光步骤、一电镀步骤及一切割步骤。蚀刻步骤中，对一导线架的多个切割道进行蚀刻。激光步骤中，以一激光光束移除覆盖切割道上的一塑胶封装材料。电镀步骤中，多个电镀面设置于导线架上塑胶封装材料未覆盖的多个区域。切割步骤中，切割导线架的切割道以形成一封装结构。借此，有助于形成具有良好焊接性的封装结构，且封装结构可稳固地设置于电路板。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商矽成积体电路股份有限公司，未经美商矽成积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010914208.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：文档管理系统、处理终端装置及控制装置
- 下一篇：封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
