[发明专利]包括数据存储图案的半导体器件在审
申请号: | 202010915102.1 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112466877A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 孙荣晥;丁相勋;洪祥准;姜书求;韩智勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了包括数据存储图案的半导体器件。所述半导体器件包括:下结构;包括栅极层和层间绝缘层并且具有开口的堆叠结构;位于所述开口中的垂直结构;位于所述垂直结构上的接触结构;以及位于所述接触结构上的导电线。所述垂直结构包括绝缘芯区域、覆盖所述绝缘芯区域的侧表面和下表面的沟道半导体层、位于所述沟道半导体层与所述栅极层之间并且彼此间隔开的数据存储图案、第一电介质层和第二电介质层。所述第一电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述栅极层之间,所述第二电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述沟道半导体层之间,并且所述绝缘芯区域在面对所述栅极层的区域中包括具有增加的宽度的第一凸部。 | ||
搜索关键词: | 包括 数据 存储 图案 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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