[发明专利]包括数据存储图案的半导体器件在审

专利信息
申请号: 202010915102.1 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112466877A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 孙荣晥;丁相勋;洪祥准;姜书求;韩智勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11582
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了包括数据存储图案的半导体器件。所述半导体器件包括:下结构;包括栅极层和层间绝缘层并且具有开口的堆叠结构;位于所述开口中的垂直结构;位于所述垂直结构上的接触结构;以及位于所述接触结构上的导电线。所述垂直结构包括绝缘芯区域、覆盖所述绝缘芯区域的侧表面和下表面的沟道半导体层、位于所述沟道半导体层与所述栅极层之间并且彼此间隔开的数据存储图案、第一电介质层和第二电介质层。所述第一电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述栅极层之间,所述第二电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述沟道半导体层之间,并且所述绝缘芯区域在面对所述栅极层的区域中包括具有增加的宽度的第一凸部。
搜索关键词: 包括 数据 存储 图案 半导体器件
【主权项】:
暂无信息
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