[发明专利]垂直式双极性晶体管装置在审
| 申请号： | 202010916210.0 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112185954A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 叶致廷;黄菘志;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直式双极性晶体管装置，其包含重掺杂半导体基板、第一半导体磊晶层、至少一个掺杂井区、隔离结构与外部导体。重掺杂半导体基板与掺杂井区具有第一导电型，第一半导体磊晶层具有第二导电型。第一半导体磊晶层设在重掺杂半导体基板上。掺杂井区设在第一半导体磊晶层中。隔离结构设在重掺杂半导体基板中，并围绕第一半导体磊晶层与掺杂井区。外部导体设在掺杂井区与第一半导体磊晶层的外侧，并电性连接掺杂井区与第一半导体磊晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 极性 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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