[发明专利]纳米片场效应晶体管器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010919434.7 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN113130653A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 杨世海;杨柏峰;姚茜宁;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件，包括突出于衬底上方的鳍；鳍之上的源极/漏极区域；源极/漏极区域之间的纳米片，其中纳米片包括第一半导体材料；在纳米片之间并且在纳米片的相反端部处的内部间隔件，其中在每个内部间隔件与源极/漏极区域的相应源极/漏极区域之间存在气隙；以及鳍之上并且在源极/漏极区域之间的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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