[发明专利]用于物理气相沉积工艺的靶材初始处理方法与控制器有效
申请号: | 202010921775.8 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN114134466B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 李仁龙;王农展 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/54;C23C14/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;袁礼君 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供基于物理气相沉积工艺的靶材初始处理方法与控制器。靶材初始处理方法方法包括:从零开始分多次提高新靶材上的导通电流至预设电流。本公开提供的靶材初始处理方法可以避免新靶材参与腔体清洁过程中出现电弧而引起宕机检修。 | ||
搜索关键词: | 用于 物理 沉积 工艺 初始 处理 方法 控制器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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