[发明专利]太阳电池及生产方法、电池组件有效
申请号: | 202010923757.3 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112151625B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 李华;刘继宇 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/028;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了太阳电池及生产方法、电池组件,涉及光伏技术领域。太阳电池包括:N型硅基底;第一过渡金属氧化物薄膜位于N型硅基底的向光面;金属薄膜位于第一过渡金属氧化物薄膜的向光面;金属薄膜的材料选自:钴、钌、铑、铟中的至少一种;在金属薄膜的材料选自钴的情况下,金属薄膜的厚度为11.8nm‑15nm;在金属薄膜的材料选自钌的情况下,金属薄膜的厚度为6.59nm‑15nm;在金属薄膜的材料选自铑的情况下,金属薄膜的厚度为6.88nm‑15nm;在金属薄膜的材料选自铟的情况下,金属薄膜的厚度为8.65nm‑15nm;第二过渡金属氧化物薄膜位于金属薄膜的向光面;正面电极位于第二过渡金属氧化物薄膜的向光面;背面电极位于N型硅基底的背光面。工艺简单、成本低、安全性能高、电阻率低。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 生产 方法 电池 组件 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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