[发明专利]一种硅片热氧化湿氧工艺在审
申请号: | 202010923895.1 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN111986993A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 仝泉;周晓飞;田献立;刘丽娟 | 申请(专利权)人: | 麦斯克电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 卫煜睿 |
地址: | 471000 河南省洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一种硅片热氧化湿氧工艺,包括构建硅片热氧化湿氧工艺过程高纯水加注量确定的步骤和方法,具体包括在氧化炉炉管后部设置计量泵和气体喷头;通过计量泵将高纯水注入气体喷头;气体喷头将注入的高纯水雾化成水汽注入氧化炉炉管,水汽进入氧化炉炉管后,分解成氢气和氧气,与硅片发生反应,在硅片表面形成氧化膜;通过调整计量泵注入氧化炉炉管内纯水的量控制硅片表面氧化膜的生长厚度。本发明提高了硅片氧化湿氧工艺的安全可靠性,减少了湿氧过程引入污染的几率,通过控制计量泵注入纯水的流量和湿氧工艺时间,可精准控制硅片氧化工艺氧化膜的生长厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 氧化 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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