[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010925646.6 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114141702A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赵炳贵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L23/48;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构两侧且覆盖源漏掺杂层的层间介质层，覆盖栅极结构和层间介质层的第一介电层，贯穿第一介电层和层间介质层的第一插塞和第二插塞，第一插塞与源漏掺杂层连接，第二插塞与栅极结构连接，第一介电层的顶面高于第一插塞和第二插塞的顶面；形成金属互连保护层，金属互连保护层覆盖第一介电层的侧壁；在第一介电层上形成第二介电层，第二介电层开设有露出第一插塞的第一通孔以及露出第二插塞的第二通孔。所述方法提高了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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