[发明专利]用于静电防护的半导体器件有效
| 申请号： | 202010926454.7 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112151532B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 胡涛;王炜槐 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件技术领域，提供了一种用于静电防护的半导体器件，利用第一P型阱区和第一N型阱区之间、第一N型阱区和第二P型阱区之间的间隔不同，形成两个击穿电压不同的LDMOS，通过第一N型阱区的电极电连接在阳极，第一P型阱区和第二栅极结构的电极共同通过电阻电连接在阴极，且前述第二P型阱区和第一栅极结构的电极共同电连接在阴极，使该半导体器件具有静电电流从阳极到阴极的两条泄放路径，利用具有较低击穿电压的LDMOS被击穿后的电流钳位控制具有较高击穿电压的LDMOS的栅压，从而开启该半导体器件，以通过沟道快速泄放ESD电流，由此可提高半导体器件的ESD防护能力，避免了器件内部发生kirk效应而造成的失效，增强了器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 防护 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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