[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010931963.9 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN111799225B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王珏;周旭;钟志鸿 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其通过离子注入使得侧墙材料层的上层转换为离子损伤层，且离子注入时台阶顶角位置的离子注入剂量比其他平面位置低，由此在湿法去除至少部分离子损伤层后，能够使得台阶顶角上能够保留相对较厚的侧墙材料层，当干法刻蚀剩余的侧墙材料层后，可以使得在台阶侧壁上形成的侧墙，在其顶部具有要求高度的同时，其底部具有沿半导体衬底的表面延伸的最大宽度，进而降低了形成的侧墙的高宽比。且由于形成的侧墙的高宽比更缓，因此更有利于后续制程中台阶处形成的多余膜层的蚀刻去除，避免后续制程在台阶的侧壁上形成蚀刻残留的问题，进而改善因蚀刻残留导致的器件短路失效的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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