[发明专利]带铁电或负电容材料的器件及其制造方法及电子设备有效
| 申请号： | 202010932029.9 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112018184B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;黄伟兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种具有铁电或负电容材料的纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；衬底上与衬底的表面间隔开的纳米线/片；围绕纳米线/片的栅电极；在栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及位于纳米线/片的相对两端且与纳米线/片相接的源/漏层。 | ||
| 搜索关键词： | 带铁电 电容 材料 器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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