[发明专利]基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器有效
| 申请号： | 202010932820.X | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112269224B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王嘉源 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/122 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于垂直耦合结构的硅‑氮化硅集成偏振分束器，包括输入波导、偏振分束波导、第一输出波导和第二输出波导，所述输入波导与偏振分束波导一端连接，所述偏振分束波导另一端分别与第一输出波导、第二输出波导连接，所述偏振分束波导是由下至上硅‑氮化硅‑硅构成的三层结构。本发明结构紧凑，具有较短的横向尺寸和纵向长度，提高了器件的集成度；具有较高的偏振消光比；有较大的制造容差，对光刻工艺的精度要求相对较低，大大降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 耦合 结构 氮化 集成 偏振 分束器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010932820.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
