[发明专利]激光束退火装置在审
| 申请号： | 202010933338.8 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113644006A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 车载贤;朴美敬;李感察;全文煐;崔京植 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B28/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及能够呈现高品质的多晶硅层的激光束退火装置，提供一种激光束退火装置，配备有：激光束源，能够发出激光束；均化器，位于从所述激光束源发出的激光束的光路径上；投影透镜部，位于通过所述均化器的激光束的光路径上；密封壳体，收纳所述投影透镜部，并且具有能够使通过所述投影透镜部的激光束通过的密封开口；密封透镜，位于所述密封开口，具有凸透镜和凹透镜中的任意一个；退火壳体，收纳待退火的基板，并且具有能够使通过所述密封透镜的激光束通过的退火开口；以及退火透镜，位于所述退火开口，具有所述凸透镜和凹透镜中的另一个。 | ||
| 搜索关键词： | 激光束 退火 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
