[发明专利]距离传感器像素阵列结构、距离传感器及工作方法在审
申请号: | 202010933576.9 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112038361A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 东尚清 | 申请(专利权)人: | 上海大芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S7/484;G01S7/4861;G01S7/4911;G01S7/4913;G01S17/08;G01S17/894 |
代理公司: | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人: | 王仙子 |
地址: | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种距离传感器像素阵列结构、距离传感器及工作方法。所述距离传感器包括发射端和接收端,所述接收端包括呈阵列排布的多个像素单元;部分所述像素单元被所述发射端以正常功率发射出的光斑照射,且被照射的像素单元处于开启状态。由此,在工作时,可以有目的的控制发射端的开启状态,例如仅使得发射端照射一部分区域,而其他区域不被照射,这样就可以大大降低发射功率,即大幅度降低了TOF的功耗,促进了TOF的普及,间接促进了AR、VR的普及。 | ||
搜索关键词: | 距离 传感器 像素 阵列 结构 工作 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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