[发明专利]一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010936271.3 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112071913A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾;孙军;张振中;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，自下而上覆盖有碳化硅外延层、栅电极及层间介质层。所述碳化硅外延层的上端中间部位设置有若干第一导电类型接触区及第二导电类型接触区，所述若干第一导电类型接触区位于所述第二导电类型接触区中间，且沿MOSFET沟道长度方向间隔分布。所述栅电极覆盖于所述第二导电类型接触区上端的两侧，两侧栅电极之间的第一间距小于第二导电类型接触区的宽度且大于若干第一导电类型接触区的宽度。所述层间介质层覆盖于栅电极上，且两侧的层间介质层之间的第二间距小于若干第一导电类型接触区的宽度。如此，可提高元胞密度，降低沟道电阻，从而实现降低导通电阻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 平面 mosfet 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳基本半导体有限公司，未经深圳基本半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010936271.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
