[发明专利]在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器在审
| 申请号： | 202010937360.X | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112463354A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | N·乔拉;G·德索利;A·格罗弗;T·勃伊施;S·P·辛格;M·阿尤蒂亚瓦斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | G06F9/50 | 分类号： | G06F9/50;G06N3/08;G06N3/10;G06K9/00;G11C5/14;G11C29/00;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器。一种存储器管理电路装置，被布置为多个存储器单元。存储器单元被配置为以确定的电压操作。耦合到多个存储器单元的存储器管理电路装置将多个存储器单元中的第一集合标记为低电压单元，并且将多个存储器单元中的第二集合标记为高电压单元。基于标记，电源将低电压提供给存储器单元中的第一集合，并且将高电压提供给存储器单元中的第二集合。 | ||
| 搜索关键词： | 容错 系统 vmin 操作 标记 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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