[发明专利]一种硅片不良片的制绒处理方法在审
| 申请号： | 202010938254.3 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242829A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨圣合 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/268;H01L21/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片不良片的制绒处理方法，包括：将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150W；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够有效减少资源浪费，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 不良 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
