[发明专利]包括集成的标准单元结构的集成电路在审
申请号: | 202010940222.7 | 申请日: | 2020-09-09 |
公开(公告)号: | CN112466871A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 白尚训;姜明吉;朴在浩;李昇映 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/118 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路包括第一有源区和第二有源区、在第一有源区和第二有源区上的第一标准单元和第二标准单元以及在第一标准单元和第二标准单元之间并包括第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物的填充单元。填充单元具有一个节距的尺寸。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物彼此间隔开所述一个节距的尺寸。填充单元的第一绝缘隔离物设置在第一标准单元和填充单元之间的第一边界处。填充单元的第二绝缘隔离物设置在第二标准单元和填充单元之间的第二边界处。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物将第一有源区的至少一部分分隔开,并将第二有源区的至少一部分分隔开。 | ||
搜索关键词: | 包括 集成 标准 单元 结构 集成电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的