[发明专利]存储器的制造方法和存储器在审
| 申请号： | 202010942805.3 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242659A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 平尔萱;周震;张令国 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器，存储器的制造方法包括：提供基底以及位线接触层；在位线接触层的顶部形成伪位线结构；在伪位线结构的侧壁及位线接触层的侧壁形成间隔层；在间隔层的侧壁形成介质层；形成填充相邻伪位线结构之间的区域的牺牲层，且牺牲层覆盖介质层的侧壁；在形成牺牲层之后，去除伪位线结构，形成露出位线接触层的通孔；形成填充通孔且覆盖位线接触层的位线导电部；形成位线导电部后，去除间隔层，形成介质层和位线导电部之间的间隙。本发明实施例中位线导电部与介质层之间具有间隙，能够降低寄生电容，提高存储器的运行速度，降低存储器的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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