[发明专利]一种微型电场传感器圆片级封装增敏降噪结构在审
| 申请号： | 202010943851.5 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN114229788A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 夏善红;刘俊;储昭志;雷虎成;彭春荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院;北京中科飞龙传感技术有限责任公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00;G01R29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微型电场传感器圆片级封装增敏降噪结构，该结构主要由三层圆片级导体硅和两层绝缘材料组成，包括：基底层，制作有凹槽与多个垂直互连结构，表面沉积有第一绝缘层，基底层通过第一绝缘层上的刻蚀窗口与接地垂直互连结构连接接地，降低耦合串扰噪声；器件层，刻蚀有传感结构、闭合密封环和屏蔽梁，接地屏蔽梁降低层内耦合噪声；封帽层，通过第二绝缘层与器件层实现绝缘，并通过第二绝缘层的镂空区域与传感结构之间形成微小间隙，以增强感应结构周围电场强度进而提高传感器灵敏度。本公开可实现电场传感器圆片级封装，具有增敏降噪的特点，且制造工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 电场 传感器 圆片级 封装 增敏降噪 结构 | ||
【主权项】：
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