[发明专利]一种带场板结构的高可靠性氮化物器件在审
| 申请号： | 202010946052.3 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111863947A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 苏州晶界半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带场板结构的高可靠性氮化物器件，依次自下而上包括：衬底、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层、栅介质层、绝缘介质层、漏极、栅极场板结构和源极场板结构；所述漏极形成于绝缘介质层上，漏极的底端部分形成于氮化物势垒层上；所述栅极场板结构形成于栅介质层上，栅极场板结构向靠近所述漏极一侧延伸；所述源极场板结构形成于绝缘介质层上，源极场板结构的底端部分形成于氮化物势垒层上，并且源极场板结构在栅极场板结构延伸的方向上延伸。本发明的优点在于：通过优化器件场板结构，有效提升器件的栅极稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 板结 可靠性 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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